IRFP9240 国产替代P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏-源电压（V_DSS）：-200V
漏极电流（I_D）：-12A @ T_C=25℃
静态导通电阻：R_DS(on)=0.50Ω（Max）@ V_GS=-10V，I_D=-6.3A
总耗散功率（P_D）：150W @ T_C=25℃
栅极阈值电压（V_GS(th)）：-2.0 ~ -4.0V
动态 dv/dt 额定、可重复雪崩额定
封装：TO-247AC（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

IRFP9240 是一款硅 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247AC 封装，具有 -200V/-12A 的电压电流能力与 0.50Ω 的低导通电阻，具备动态 dv/dt 与重复雪崩额定能力、开关速度快、易于并联，适用于开关电源、DC-DC 变换器、电机驱动与音频功放等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-247AC	Single-P	-200	±20	-12	-48	150	0.50	-2.0 ~ -4.0	Silicon P-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	-200	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	连续漏极电流 @ T_C=25℃	-12	A
I_DM	脉冲漏极电流（单脉冲）	-48	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.83	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V；I_D=-0.25mA	-200	--	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=-200V；V_GS=0V	--	-25	µA
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=-0.25mA	-2.0	-4.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=-10V；I_D=-6.3A	--	0.50	Ω
V_SD	体二极管正向压降	I_S=-12A；V_GS=0V	--	-1.5	V

应用

开关电源开关电源（Switching power supplies）应用。
DC-DC 变换器开关变换器（Switching converters）应用。
电机驱动电机驱动（Motor drivers）应用。
音频功放音频功率放大（Audio amplifiers）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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