ISCD7009SiC Schottky Diode

SiC Schottky Diode ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值反向电压（V_RRM）：1700V
平均正向整流电流（I_F(AV)）：169A @ T_C=25℃；81A @ T_C=135℃
非重复浪涌电流（I_FSM）：400A（T_C=25℃）/ 300A（T_C=150℃）
正向压降（V_F）：1.8V @ I_F=25A，T_J=25℃
结到壳热阻（R_th(j-c)）：0.18℃/W
无反向恢复，适合高频硬开关
封装：TO-247

ISCD7009 是一款 1700V 碳化硅肖特基二极管，采用 TO-247 封装，浪涌能力强、热阻低、开关速度极快，且无反向恢复电流，适用于开关电源、UPS、电机驱动与逆变器续流/反并联二极管。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	I_R (µA)	R_th(j-c) (℃/W)	T_J (℃)	Structure
TO-247	Single	1700	81	400	1.8	50	0.18	-55 ~ 175	SiC Schottky

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	重复峰值反向电压	1700	V
I_F(AV)	平均正向整流电流 @ T_C=25℃	169	A
I_F(AV)	平均正向整流电流 @ T_C=135℃	81	A
I_FSM	非重复峰值浪涌电流（半正弦，t_p=10ms，T_C=25℃）	400	A
I_FSM	非重复峰值浪涌电流（半正弦，t_p=10ms，T_C=150℃）	300	A
T_J	结温	-55 ~ 175	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	0.18	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	二极管正向压降	I_F=25A；T_J=25℃	--	1.8	V
V_F	二极管正向压降	I_F=25A；T_J=175℃	--	2.4	V
I_R	反向电流	V_R=V_RRM；T_J=25℃	--	50	µA
I_R	反向电流	V_R=V_RRM；T_J=175℃	--	1000	µA
Q_C	总电容电荷	V_R=1200V；dI_F/dt=200A/µs；T_J=175℃（典型值）	--	185	nC
C	总电容	V_R=1200V；f=1MHz（典型值）	--	184	pF

应用

开关电源（SMPS）高压输出整流与续流，提升效率与开关频率。
不间断电源（UPS）逆变与整流级的升压/续流二极管。
电机驱动变频器逆变桥的反并联二极管。
光伏与储能变流高压直流母线的高频整流。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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