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ISCNH374DN-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：60V
栅源电压（V_GS）：±20V
漏极电流（I_D）：44A（连续，T_C=25℃）
脉冲漏极电流（I_DM）：176A
耗散功率（P_D）：74W @ T_C=25℃
导通电阻（R_DS(on)）：15.7mΩ（Max）@ V_GS=10V，I_D=15A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2 ~ 4V
100% 雪崩测试，批次一致性好
适用于电机驱动、DC-DC 变换、功率开关与电磁阀驱动

ISCNH374D 是一款 60V / 44A / 15.7mΩ 的 N 沟道功率 MOSFET，导通电阻低、电流能力大、批次一致性高，适用于电机驱动、DC-DC 变换器、功率开关与电磁阀驱动等低压大电流场合。

参数

核心参数表

Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	T_J (℃)
N-Channel	60	±20	44	176	74	15.7	2 ~ 4	-55 ~ 175

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	60	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）	44	A
I_DM	脉冲漏极电流	176	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	74	W
T_J	最大工作结温	-55 ~ 175	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.69	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=10mA	60	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=10V；I_D=1mA	2	4	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=15A	--	15.7	mΩ
I_GSS	栅体泄漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0	--	±0.1	µA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=60V；V_GS=0	--	1	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=15A；V_GS=0	--	1.5	V

应用

电机驱动直流电机、步进电机的大电流驱动与调速。
DC-DC 变换器同步整流与低压大电流开关。
电磁阀 / 功率开关感性负载驱动、负载通断控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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