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IXFH67N10 国产替代N-Channel MOSFET Transistor

N-Channel MOSFET Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：100V（Min）
栅源电压（V_GS）：±20V
漏极电流（I_D）：67A @ T_C=25℃（单脉冲 268A）
导通电阻：R_DS(on)=25mΩ（Max）@ V_GS=10V
总耗散功率（P_D）：300W @ T_C=25℃
100% 雪崩测试，快速本征二极管
封装：TO-247

IXFH67N10 是一款 100V / 67A 的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，导通电阻低至 25mΩ，100% 雪崩测试，本征二极管恢复快，适用于电机驱动、DC-DC 变换器、电源开关与电磁阀驱动等应用。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)
TO-247	100	±20	67	268	300	0.025	4.0

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	100	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极连续电流 @ T_C=25℃	67	A
I_DM	漏极单脉冲电流	268	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	300	W
T_j	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.42	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	100	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=4mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=33.5A	--	0.025	Ω
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=80V；V_GS=0	--	250	µA
V_SD	二极管正向电压	I_S=67A；V_GS=0	--	1.75	V

应用

电机驱动电机驱动（Motor drive）应用。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器（DC-DC converter）应用。
电源开关电源开关（Power switch）应用。
电磁阀驱动电磁阀驱动（Solenoid drive）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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