IXFN180N20 国产替代N-Channel HiPerFET Power MOSFET

N-Channel HiPerFET Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏-源电压（V_DSS）：200V
漏极电流（I_D25）：180A @ T_C=25℃（脉冲 720A）
低导通电阻：R_DS(on)=10mΩ @ V_GS=10V；I_D=0.5×I_D25
总耗散功率（P_D）：700W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_thJC）：0.18℃/W
雪崩额定（Avalanche Rated），高 dv/dt 能力
快速体二极管：t_rr≤250ns
非钳位感性负载开关（UIS）额定
封装：miniBLOC SOT-227B（氮化铝绝缘，隔离电压 2500V~）

IXFN180N20 是一款 N 沟道增强型 HiPerFET 功率 MOSFET 模块，采用 SOT-227B 国际标准封装与氮化铝绝缘底板，具有 200V 耐压、180A 电流能力与 10mΩ 的低导通电阻，具备雪崩额定与高 dv/dt 能力、体二极管恢复快，适用于 DC-DC 变换器、电池充电器、开关电源与 DC 斩波器等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	Structure
SOT-227B	Single-N	200	±20	180	720	700	10	2.0 ~ 4.0	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	200	V
V_DGR	漏-栅电压（R_GS=1MΩ）	200	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
V_GSM	栅-源电压（瞬态）	±30	V
I_D25	漏极电流 @ T_C=25℃	180	A
I_L(RMS)	端子电流上限	100	A
I_DM	漏极电流（脉冲）	720	A
I_AR	雪崩电流 @ T_C=25℃	36	A
E_AS	单脉冲雪崩能量 @ T_C=25℃	4	J
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	700	W
T_j	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃
V_ISOL	隔离电压（50/60Hz，1min）	2500	V~

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_thJC	结-壳热阻	0.18	℃/W
R_thCK	壳-散热器热阻	0.05	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V；I_D=3mA	200	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=8mA	2	4	V
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±200	nA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=200V；V_GS=0V；T_j=25℃	--	100	µA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=200V；V_GS=0V；T_j=125℃	--	2	mA
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=0.5×I_D25（脉冲）	--	10	mΩ
g_fs	正向跨导	V_DS=15V；I_D=60A（脉冲）	90	130	S
V_SD	体二极管正向压降	I_F=100A；V_GS=0V（脉冲）	--	1.2	V
t_rr	体二极管反向恢复时间	I_F=50A；-di/dt=100A/µs；V_R=100V	--	250	ns

应用

DC-DC 变换器DC-DC 变换器与 DC 斩波器（DC choppers）。
电池充电器大电流电池充电与放电回路。
开关电源开关式与谐振式电源。
温度与照明控制调温、调光等功率控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号