IXFN230N20T 国产替代N-Channel GigaMOS Power MOSFET

N-Channel GigaMOS Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏-源电压（V_DSS）：200V
漏极电流（I_D25）：220A @ T_C=25℃（脉冲 630A）
低导通电阻：R_DS(on)≤7.5mΩ @ V_GS=10V；I_D=60A
总耗散功率（P_D）：1090W @ T_C=25℃
工作结温高至 175℃
结-壳热阻（R_thJC）：0.138℃/W
快速体二极管：t_rr≤200ns
雪崩额定（Avalanche Rated）
封装：miniBLOC SOT-227B（氮化铝绝缘，隔离电压 2500V~）

IXFN230N20T 是一款 N 沟道增强型 GigaMOS 功率 MOSFET 模块，采用 SOT-227B 国际标准封装与氮化铝绝缘底板，具有 200V 耐压、220A 电流能力与 7.5mΩ 的低导通电阻，集成快速体二极管并具备雪崩额定能力，适用于同步整流、DC-DC 变换器、电池充电器与不间断电源等高功率密度场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	Structure
SOT-227B	Single-N	200	±20	220	630	1090	7.5	3.0 ~ 5.0	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	200	V
V_DGR	漏-栅电压（R_GS=1MΩ）	200	V
V_GSS	栅-源电压（连续）	±20	V
V_GSM	栅-源电压（瞬态）	±30	V
I_D25	漏极电流 @ T_C=25℃	220	A
I_L(RMS)	外引线电流有效值上限	200	A
I_DM	漏极电流（脉冲）	630	A
I_A	雪崩电流 @ T_C=25℃	100	A
E_AS	单脉冲雪崩能量 @ T_C=25℃	3	J
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	1090	W
T_j	工作结温	-55 ~ 175	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 175	℃
V_ISOL	隔离电压（50/60Hz，1min）	2500	V~

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_thJC	结-壳热阻	0.138	℃/W
R_thCS	壳-散热器热阻	0.05	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V；I_D=3mA	200	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=8mA	3.0	5.0	V
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±200	nA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=200V；V_GS=0V	--	50	µA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=200V；V_GS=0V；T_j=150℃	--	3	mA
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=60A（脉冲）	--	7.5	mΩ
g_fs	正向跨导	V_DS=10V；I_D=60A（脉冲）	100	160	S
V_SD	体二极管正向压降	I_F=60A；V_GS=0V（脉冲）	--	1.3	V
t_rr	体二极管反向恢复时间	I_F=115A；-di/dt=100A/µs；V_R=75V	--	200	ns

应用

同步整流同步整流（Synchronous rectification）与大电流整流。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器、DC 斩波器（DC choppers）。
不间断电源UPS、开关电源与谐振式电源。
电机驱动交流电机驱动与逆变器。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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