IXTH20P50P 国产替代P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：-500V
栅源电压（V_GS）：±20V
漏极电流（I_D）：-20A（连续，T_C=25℃），脉冲 -60A
耗散功率（P_D）：460W @ T_C=25℃
导通电阻（R_DS(on)）：0.45Ω（Max）@ V_GS=-10V，I_D=-10A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：-2.0 ~ -4.0V
PolarP 工艺：导通电阻较传统结构降低约 30%，栅电荷降低约 40%
雪崩额定、动态 dv/dt 额定，正温度系数便于并联
封装：TO-247（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

IXTH20P50P 是一款 -500V / -20A / 0.45Ω 的 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，基于 PolarP 技术平台。相比传统 P 沟道器件，其导通电阻降低约 30%、栅电荷降低约 40%，导通损耗与驱动损耗更低，并具备雪崩与动态 dv/dt 耐受能力，适用于高边开关、推挽放大器、直流斩波与固态继电器等场合。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	T_J (℃)
TO-247	P-Channel	500	±20	-20	-60	460	0.45	-2.0 ~ -4.0	150

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	-500	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续，T_C=25℃）	-20	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	-60	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	460	W
T_J	最大工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.27	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=-0.25mA	-500	--	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=-500V；V_GS=0V	--	-25	µA
I_GSS	栅-体泄漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=-0.25mA	-2.0	-4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=-10V；I_D=-10A	--	0.45	Ω
V_SD	体二极管正向压降	I_S=-10A；V_GS=0V	--	-2.8	V

应用

高边开关高压侧负载开关（High-side switching）。
推挽放大器推挽放大器（Push-pull amplifiers）输出级。
直流斩波 / DC-DCDC chopper 与 DC-DC、DC-AC 变换。
固态继电器功率固态继电器与电流调节器。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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