N-Channel SiC MOSFET Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
NTHL023N065M3S 是一款碳化硅（SiC）N 沟道 MOSFET，具有 650V 耐压、低导通电阻与优异的开关特性，适用于光伏逆变器、UPS 与储能系统等高频高效功率变换应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VDSS (V) | VGS (V) | ID (A) | IDM (A) | RDS(on) (mΩ) | VGS(th) (V) | PD (W) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-247 | Single-N | 650 | -8/+22 | 40 | 218 | 33 | 2.0~4.0 | 263 | Silicon Carbide N-Ch |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏-源电压 | 650 | V |
| VGS | 栅-源电压（连续） | -8 / +22 | V |
| ID | 漏极电流（连续） | 40 | A |
| IDM | 漏极电流（单脉冲，tp=100µs） | 218 | A |
| PD | 总耗散功率 | 263 | W |
| TJ | 最高工作结温 | 175 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 175 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 0.57 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)DSS | 漏-源击穿电压 | VGS=0；ID=1mA | 650 | -- | V |
| IDSS | 零栅压漏电流 | VDS=650V；VGS=0 | -- | 10 | µA |
| IGSS | 栅-体漏电流 | VGS=-8/+22V；VDS=0 | -- | ±1.0 | µA |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS；ID=10mA | 2.0 | 4.0 | V |
| RDS(on) | 漏-源导通电阻 | VGS=18V；ID=33A | -- | 33 | mΩ |
| VSD | 二极管正向压降 | ISD=20A；VGS=-3V | -- | 6.0 | V |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。
公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）
电话：0510-85346300
官网：www.iscsemi.com
地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号