QK040KH6TP 国产替代40A Alternistor Triac (High Commutation)

40A Alternistor Triac (High Commutation) ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

断态重复峰值电压（V_DRM/V_RRM）：1000V
通态均方根电流（I_T(RMS)）：40A @ T_C=75℃
非重复浪涌电流（I_TSM）：335A（50Hz）/ 400A（60Hz）
门极触发电流（I_GT）：80mA（Max，QⅠ/Ⅱ/Ⅲ）
门极触发电压（V_GT）：1.3V（Max）
通态峰值电压（V_TM）：1.8V（Max）@ I_TM=56.6A
换向能力（di/dt）：150A/µs；换向 dv/dt（(dv/dt)_c）：30V/µs（Min）
无缓冲（snubberless）设计，适用于强感性负载
封装：TO-218AC（K 型，绝缘带片，1 MT1 / 2 MT2 / 3 门极）

QK040KH6TP 是一款 1000V / 40A 的 Alternistor（高换向）双向可控硅，采用 TO-218AC 绝缘带片封装。器件仅在第Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ象限工作，专为高 dv/dt 能力需求设计，无需缓冲网络即可驱动强感性负载，适用于交流开关与相位控制，如电机调速、温度调节、照明控制与固态继电器。

参数

核心参数表

Package	Type	V_DRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	V_GT (V)	I_H (mA)	V_TM (V)	T_J (℃)
TO-218AC	Alternistor	1000	40	335/400	80	1.3	80	1.8	125

绝对最大额定值（T_C=25℃（另有说明除外））

符号	参数	数值	单位
V_DRM/V_RRM	断态重复峰值电压	1000	V
I_T(RMS)	通态均方根电流（全正弦波，T_C=75℃）	40	A
I_TSM	非重复浪涌峰值电流（50Hz，20ms）	335	A
I_TSM	非重复浪涌峰值电流（60Hz，16.7ms）	400	A
I²t	熔断 I²t（t_p=8.3ms）	664	A²s
di/dt	通态电流临界上升率（T_J=125℃）	150	A/µs
I_GTM	门极峰值触发电流	4	A
P_G(AV)	门极平均耗散功率（T_J=125℃）	0.8	W
T_J	工作结温	-40 ~ 125	℃
T_stg	存储温度范围	-40 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻（AC）	0.97	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_TM	通态峰值电压	I_TM=56.6A；t_p=380µs；T_J=25℃	--	1.8	V
I_DRM/I_RRM	断态重复峰值电流	V_D=V_DRM/V_RRM；T_J=25℃	--	20	µA
I_DRM/I_RRM	断态重复峰值电流	V_D=V_DRM；T_J=100℃	--	5	mA
V_GT	门极触发电压	V_D=12V；R_L=60Ω（QⅠ~Ⅲ）	--	1.3	V
V_GD	门极不触发电压	V_D=V_DRM；R_L=3.3kΩ；T_J=125℃	0.2	--	V
I_GT	门极触发电流	V_D=12V；R_L=60Ω（QⅠ~Ⅲ）	--	80	mA
I_H	维持电流	I_T=400mA（初始）	--	80	mA
dv/dt	断态电压临界上升率	V_D=V_DRM；门极开路；T_J=125℃	500	--	V/µs
dv/dt	断态电压临界上升率	V_D=V_DRM；门极开路；T_J=100℃	300	--	V/µs
(dv/dt)_c	换向断态电压临界上升率	(di/dt)_c=21.6A/ms；T_J=125℃	30	--	V/µs
t_gt	门极控制开通时间	I_G=2×I_GT；P_W=15µs；I_T=56.6A（typ）	--	5	µs

应用

交流固态开关交流固态开关与静态切换继电器（AC solid-state switches）。
电机调速工业电动工具、健身器材的电机速度控制。
加热与照明控制加热、照明调光等相位控制应用。
白色家电白色家电与商用电器中的交流开关。
强感性负载无需缓冲网络即可驱动强感性负载。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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