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R6011ENX 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏-源电压（V_DSS）：600V
漏极电流（I_D）：±11A @ T_C=25℃（脉冲 ±22A）
低导通电阻：R_DS(on)=390mΩ（Max）@ V_GS=10V；I_D=3.8A
栅-源电压（V_GSS）：±20V
总耗散功率（P_D）：53W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：2.4℃/W
100% 雪崩测试，批次一致性好
封装：TO-220FM（绝缘型，1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

R6011ENX 是一款硅 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有 600V 的漏-源耐压、11A 的漏极电流能力与 390mΩ 的低导通电阻，开关速度快、驱动电路简单、易于并联，适用于开关电源、DC-DC 变换器与一般开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-220FM	Single-N	600	±20	11	22	53	390	2.0 ~ 4.0	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	600	V
V_GSS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	±11	A
I_DP	漏极电流（脉冲）	±22	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	53	W
T_j	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.4	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻	70	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V；I_D=1mA	600	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=10V；I_D=1mA	2	4	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=3.8A	--	390	mΩ
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=600V；V_GS=0V	--	100	µA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=600V；V_GS=0V；T_j=125℃	--	1000	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=11A；V_GS=0V	--	1.5	V

应用

开关电源开关电源（Switching mode power supplies）一次侧/二次侧开关应用。
DC-DC 变换器各类 DC-DC 变换器与适配器。
功率开关一般功率开关、负载控制与逆变电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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