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STP20NM60FD 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：600V
栅源电压（V_GS）：±30V
漏极电流（I_D）：20A（连续，T_C=25℃）
耗散功率（P_tot）：192W @ T_C=25℃
导通电阻（R_DS(on)）：290mΩ（Max）@ V_GS=10V，I_D=10A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：3 ~ 5V
开关速度快，100% 雪崩测试
批次一致性好，适合稳健量产设计
封装：TO-220

STP20NM60FD 是一款 600V / 20A / 0.29Ω 的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，开关速度快、雪崩耐量有保证，适用于开关电源、功率因数校正、逆变器与高频功率开关等场合。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_tot (W)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)
TO-220	N-Channel	600	±30	20	80	192	290	3 ~ 5	-65 ~ 150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压（V_GS=0）	600	V
V_GS	栅源电压	±30	V
I_D	漏极电流（连续，T_C=25℃）	20	A
I_DM	脉冲漏极电流	80	A
P_tot	总耗散功率 @ T_C=25℃	192	W
T_j	最大工作结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.65	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=1mA	600	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=250µA	3	5	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=10A	--	290	mΩ
I_GSS	栅源泄漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=Max Rating	--	1	µA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=Max Rating；T_C=125℃	--	10	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=20A；V_GS=0	--	1.5	V

应用

开关电源（SMPS）高压侧功率开关，600V 档适配通用市电整流母线。
功率因数校正（PFC）连续导通模式 PFC 主开关。
逆变器 / 电机驱动半桥、全桥拓扑中的高速开关管。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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