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TPDV1240RG 国产替代40A High Voltage Triac

40A High Voltage Triac ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值关态电压（V_DRM）：1200V
重复峰值反向电压（V_RRM）：1200V
通态方均根电流（I_T(RMS)）：40A（全正弦波，T_C=75℃）
非重复浪涌通态电流（I_TSM）：350A（t_p=10ms）
门极触发电流（I_GT）：200mA（Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ 象限）
门极触发电压（V_GT）：1.5V（Max）
维持电流（I_H）：50mA（Max）
通态峰值电压（V_TM）：1.8V（Max）@ I_TM=35A
结-壳热阻（R_th(j-c)）：1.2℃/W
封装：TOP3（绝缘型）

TPDV1240RG 是一款 1200V / 40A 的高压双向可控硅，采用 TOP3 绝缘封装，浪涌电流承受能力强、换向能力高，适用于感性或阻性负载的相位控制与静态开关，尤其适合三相电网中的电机、变压器等功率控制场合。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DRM (V)	V_RRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	V_GT (V)	I_H (mA)	T_J (℃)
TOP3 (Insulated)	Triac	1200	1200	40	350	200	1.5	50	125

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	重复峰值关态电压	1200	V
V_RRM	重复峰值反向电压	1200	V
I_T(RMS)	通态方均根电流（全正弦波，T_C=75℃）	40	A
I_TSM	非重复浪涌通态电流（t_p=10ms）	350	A
P_G(AV)	门极平均耗散功率（T_j=125℃）	1	W
T_j	工作结温	-40 ~ 125	℃
T_stg	存储温度范围	-40 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.2	℃/W
R_th(j-a)	结-环境热阻	50	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_DRM	重复峰值关态电流	V_D=V_DRM；T_j=25℃	--	0.02	mA
I_DRM	重复峰值关态电流（高温）	V_D=V_DRM；T_j=125℃	--	8	mA
I_RRM	重复峰值反向电流	V_R=V_RRM；T_j=25℃	--	0.02	mA
I_RRM	重复峰值反向电流（高温）	V_R=V_RRM；T_j=125℃	--	8	mA
I_GT	门极触发电流（Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ 象限）	V_D=12V；R_L=33Ω	--	200	mA
V_GT	门极触发电压（全象限）	V_D=12V；R_L=33Ω	--	1.5	V
I_H	维持电流	I_GT=0.5A；门极开路	--	50	mA
V_TM	通态峰值电压	I_TM=35A；t_p=380µs	--	1.8	V

应用

电机控制三相电网中交流电机的调速与软启动控制。
变压器一次侧控制变压器、电抗器等感性负载的相位控制。
工业加热控制加热元件等阻性负载的功率调节。
静态开关替代接触器的无触点静态开关。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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