VBE55-12NO7 国产替代Single Phase Rectifier Bridge With FRED

Single Phase Rectifier Bridge With FRED ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值反向电压（V_RRM）：1200V
直流电流（I_dAV）：59A @ T_C=85℃
非重复峰值脉冲电流（I_Fpuls）：200A @ T_C=45℃
快恢复二极管（FRED），反向恢复时间 t_rr=40ns（Typ）
DCB 陶瓷基板，低轮廓封装；绝缘电压 3000V~
结-壳热阻（每模块）：0.225℃/W
封装：ECO-PAC1

VBE55-12NO7 是一款带快恢复二极管（FRED）的单相整流桥，采用 DCB 陶瓷基板低轮廓封装，具有 1200V/59A 的电压电流能力、低正向压降与快速恢复特性，适用于直流电源设备供电、高频输入输出整流、电池直流电源及直流电机励磁等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_RRM (V)	I_dAV (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	t_rr (ns)	T_VJ (℃)	Structure
ECO-PAC1	Single Phase Bridge	1200	59	200	2.70	40	150	Silicon FRED

绝对最大额定值（Ta=25℃（另有说明除外））

符号	参数	数值	单位
V_R	二极管反向电压（T_J=25℃）	1200	V
I_dAV	直流电流（T_C=85℃）	59	A
I_Fpuls	脉冲电流，t=10ms(50Hz)正弦，T_C=45℃	200	A
I_Fpuls	脉冲电流，t=10ms(50Hz)正弦，T_C=150℃	170	A
I_Fpuls	脉冲电流，t=8.3ms(60Hz)正弦，T_C=45℃	220	A
I_Fpuls	脉冲电流，t=8.3ms(60Hz)正弦，T_C=150℃	190	A
I²t	熔断 I²t，t=10ms(50Hz)正弦，T_C=45℃	200	A²S
I²t	熔断 I²t，t=10ms(50Hz)正弦，T_C=150℃	145	A²S
I²t	熔断 I²t，t=8.3ms(60Hz)正弦，T_C=45℃	205	A²S
I²t	熔断 I²t，t=8.3ms(60Hz)正弦，T_C=150℃	150	A²S
V_ISOL	绝缘测试电压，50/60Hz，RMS，t=1min	3000	V~
T_J	结温	-40 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 150	℃
M_d	安装扭矩	1.5-2.0	Nm
—	重量（Typ.）	19	g

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻（每二极管）	0.9	℃/W
R_{th j-c}	结-壳热阻（每模块）	0.225	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
V_F	二极管正向电压	I_F=30A；T_C=25℃	--	--	2.70	V
I_R	反向电流	V_R=1200V；T_J=25℃	--	--	0.25	mA
I_R	反向电流	V_R=1200V；T_J=150℃	--	--	1.0	mA
t_rr	反向恢复时间	I_F=1A；V_R=30V；di_F/dt=200A/µs；T_J=25℃	--	40	--	ns

爬电距离（表面）d_S=11.2mm；爬电距离（空气）d_A=9.7mm；最大允许加速度 a=50m/s²。

应用

直流电源设备供电直流电源设备供电（Supplies for DC power equipment）。
高频输入输出整流高频输入与输出整流（Input and output rectifiers for high frequency）。
电池直流电源电池直流电源（Battery DC power supplies）。
直流电机励磁直流电机励磁电源（Field supply for DC motors）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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